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1EDS5663H
生産終了
生産終了
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鉛フリー

1EDS5663H

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GaN EiceDRIVER™ gate driver IC with excellent robustness and efficiency, the perfect fit to drive gallium nitride (GaN) HEMTs
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1EDS5663H
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製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    5.8 V
  • VBS UVLO (Off)
    5.2 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.7 V
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-DSO-16
  • 伝搬遅延オフ
    41 ns
  • 伝搬遅延オン
    37 ns
  • 入力 Vcc (最小)
    3 V
  • 出力電流 (Sink)
    8 A
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 絶縁方式
    Galvanic isolation - Reinforced
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V

OPN
1EDS5663HXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
ID
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 -
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
ID
ウェハ製造国
DE
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The new single-channel galvanically isolated gate driver IC component 1EDS5663H is a perfect fit for enhancement mode (e-mode) gallium nitride (GaN) HEMTs with non-isolated gate (diode input characteristic) and low threshold voltage, such as CoolGaN™ . It ensures robust and highly efficient high voltage GaN switch operation whilst concurrently minimizing R&D efforts and shortening time-to-market.
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

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