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1EDF5673F
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

1EDF5673F

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GaN EiceDRIVER™ gate driver IC with excellent robustness and efficiency, the perfect fit to drive gallium nitride (GaN) HEMTs
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1EDF5673F
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製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    5.8 V
  • VBS UVLO (Off)
    5.2 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.7 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-DSO-16-11
  • 伝搬遅延オフ
    41 ns
  • 伝搬遅延オン
    37 ns
  • 入力 Vcc (最小)
    3 V
  • 出力電流 (Sink)
    8 A
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
OPN
1EDF5673FXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The single-channel galvanically isolated gate driver IC 1EDF5673F is a perfect fit for enhancement mode (e-mode) gallium nitride (GaN) HEMTs with non-isolated gate (diode input characteristic) and low threshold voltage, such as CoolGaN™ . It ensures robust and highly efficient high voltage GaN switch operation whilst concurrently minimizing R&D efforts and shortening time-to-market.
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ