KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A
新規
Active and preferred

KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A

新規
Half-bridge daughter board with CoolGaN™ Transistor 650 V G5 in DFN8x8 and dual-channel bootstrap driver IC
ボード

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KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A
KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A

製品仕様情報

  • 入力電圧 (最大)
    650 V
  • 出力電流 (最大)
    18 A
推奨
OPN
KITHBGANBTRCPFNATOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ L
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ L
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The KIT_HB_GaN_BT_RC_PFN_A is a half-bridge daughter board featuring CoolGaN™ Transistors 650 V G5 in a DFN8x8 package, and a dual-channel bootstrap gate driver IC (EiceDRIVER™ 2EDB7259Y). The board allows the driving of CoolGaN™ with bipolar gate-to-source voltages (RC interface circuit).

特長

  • Universal platform with RC circuit
  • Compact optimized and solution
  • High power and frequency application
  • Easy plug-and-play solution

利点

  • Configurable via jumper wires
  • Minimal layout impact concerns
  • Easy replacement of gate drivers

アプリケーション

Bill of Material

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション