KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A
新規
Active and preferred

KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A

新規
DFN8x8パッケージのCoolGaN™ トランジスタ650 V G5とデュアルチャネル ブートストラップ ドライバICを搭載したハーフブリッジ ドーターボード

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KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A
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製品仕様情報

  • 入力電圧 (最大)
    650 V
  • 出力電流 (最大)
    18 A
OPN
KITHBGANBTRCPFNATOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ L
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ L
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
KIT_HB_GaN_BT_RC_PFN_Aは、DFN8x8パッケージのCoolGaN™ トランジスタ650 V G5とデュアルチャネル ブートストラップ ゲートドライバIC (EiceDRIVER™ 2EDB7259Y) を搭載したハーフブリッジ ドーターボードです。このボードでは、バイポーラのゲート-ソース間電圧 (RCインターフェース回路) でCoolGaN™ を駆動できます。

特長

  • RC回路搭載のユニバーサル プラットフォーム
  • コンパクトで最適化されたソリューション
  • 高出力および高周波アプリケーション
  • 簡単に使えるプラグアンドプレイ ソリューション

利点

  • ジャンパー線で設定可能
  • レイアウトへの影響を最小限に抑制
  • ゲートドライバの交換が容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース