Siltectraについて

SILTECTRA GmbHは、2010年にスタートアップとして設立され、2018年11月からインフィニオン テクノロジーズの独立子会社として、事業を展開しています。研究開発拠点およびパイロット ラインとして、SILTECTRAは、半導体材料のSiCを含む結晶材料のレーザーによる分割工程に焦点を当てた、広範な専門知識と大規模な特許ポートフォリオを持っています。開発と生産に加えて、すべての主要な業務部門はドレスデンの本社にあります。

2023年にドレスデン南部に建設された新しい拠点は、ISO9001の認証を受けており、ISO7規格に基づく最新のクリーンルームとラボエリアで運用されています。

コールド スプリット テクノロジーとは?

SILTECTRA™のコールド スプリット技術は、一般的なソーイング技術と比較して、材料の損失を最小限に抑えて結晶性材料を分割します。SILTECTRA™の技術は、今後数年間で需要の急増が見込まれる半導体材料であるSiC (炭化ケイ素) にも適用できます。インフィニオンのCoolSiC™などのSiC製品は、今日、非常に効率的でコンパクトな太陽光インバーターにすでに使用されています。今後、SiCはエレクトロモビリティにおいて、ますます重要な役割を果たすようになるでしょう。

レーザーを使用したこの技術は、熱応力を利用して、目的の平面に沿って材料を精密に分割する力を発生させる化学的・物理的プロセスを採用しており、カーフ ロスはほとんど発生しません。「カーフ ロスなし」というのは、コールド スプリット特有であり、画期的な利点をもたらします。まず、従来のウエハー技術よりも、ブールから取れるウエハー数が多くなります。これにより生産性が増加し、さらに消耗品コストを大幅に削減します。

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Impressum Siltectra GmbH

Managing Directors
Dr. Peter Friedrichs
Torsten Herrich

Address
Siltectra GmbH
Pforzheimer Straße 7a
01189 Dresden
Germany

T +49 (351) 889 56-130
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