シリコン技術

インフィニオンは、比類のない品質とあらゆる性能指数 (FOM) におけるトップとして特長づけられ、市場で最も幅広いシリコン電源ポートフォリオを提供しています。このポートフォリオは、最高の価格性能比を提供し、使いやすく堅牢で、あらゆる電圧クラスのすべてのアプリケーション向けにカスタマイズされた最適化機能を備えています。

シリコンパワーMOSFETにおけるリーダーシップ

シリコンパワーMOSFETにおけるリーダーシップ

インフィニオンは世界的なMOSFETのマーケットリーダーであり、あらゆるアプリケーションに最適なMOSFET製品を幅広く取り揃えています。シリコンパワーMOSFETは、電力スイッチング、制御、変換において最高クラスの性能、信頼性、使いやすさを実現するように設計されています。製品とシステムソリューションの効率、電力密度、コスト効率が向上します。

インフィニオンのシリコン パワーMOSFETは、スイッチングモード電源、DC-DCコンバーター、住宅用太陽光発電アプリケーション用インバーター、モータードライブなどの主要なアプリケーション向けに高度に最適化されています。使いやすく堅牢なMOSFETを備え、特定のアプリケーションニーズに合わせてカスタマイズされたさまざまな最適化機能を備えた、最も幅広いSi MOSFETポートフォリオを提供しています。インフィニオンのシリコンパワーMOSFETは、性能の卓越性において業界のベンチマークを確立しています。最新のMOSFETテクノロジーをベースとし、お客様のニーズに合わせてスイッチング、熱性能、耐性の面で優れた機能を提供します。インフィニオンのシリコンパワーMOSFETは最高の品質と保護基準を満たし、確実な製品信頼性、信頼できるシステム稼働時間、実証済みの供給安定性をもたらします。

Si MOSFET市場は、パワー半導体業界で最大のコンポーネント市場の1つです。当社は、高性能パワーMOSFET分野における前例のないリーダーであり、MOSFETを標準コンポーネントとして採用し、カスタマイズされた最適化によって、さまざまなアプリケーションにサービスを提供しています。最適化されたテクノロジーとプロセス、および業界最大の12インチ工場の規模の経済性により、最高の価格性能比、ビジネスのしやすさ、市場投入までの時間の短縮に優れています。

インフィニオンのパワーMOSFET技術ロードマップは、業界のイノベーションを推進しています。150 V MOSFETを備えたマルチレベルAC-DCコンバーターなどの電力変換の新しいトポロジーや、eFuseなどの機能と保護ICの統合を実現します。カスタマイズされたMOSFETを1つのパッケージに収めたり、ソースダウンパッケージなどの製品の優れた熱性能に基づいた冷却コンセプトを進化させたりすることで、さらなる革新を進めています。世界初の20マイクロメートル シリコン ウェーハ技術などの最先端のイノベーションは、インフィニオンの技術力の証です。最も信頼性が高く効率的な方法で、AIデータ センターに電力を供給するようなトレンドのアプリケーションは、電力フロー全体にわたる複数の変換ステップにおいて、最適化されたシリコン技術に依存しています。インフィニオンのシリコン技術は、その信頼性と、複数の冷却コンセプトをサポートする幅広いパッケージ ポートフォリオの可用性により、これを実現します。当社のシリコン専門家は、グローバルに、光の速さで顧客の最も高い要求を満たす豊富な経験を有しています。イノベーションは、電力スイッチング、制御、変換における性能、信頼性、使いやすさに深く結びついており、顧客にとっての価値を高めます。

シリコンMOSFETは、システム効率と電力密度を向上させる電源ソリューションを実現します。これらのデバイスは、個々のシステム要件を満たすように特別に最適化されており、全体的なシステムコストを削減しながら顧客の市場での成功を促進します。アプリケーション要件に基づき、専用システムIC (例: EiceDRIVER™ゲートドライバ ファミリー) と独自の電力変換トポロジーと組み合わせた最も広範なパワーパッケージで、Si (CoolMOS™、OptiMOS™、StrongIRFET™)、SiC、GaNをカバーする業界最先端のパワースイッチ製品を提供しています。

実証済みの技術と供給安定性により、グローバルな規模で信頼性の高いパフォーマンスを実現します。インフィニオンは、高い品質基準と長期的な可用性に重点を置いています。世界最大のシリコンパワーMOSFET生産能力を誇り、すべての市場に向けてあらゆるテクノロジーに対応する6つのフロントエンド施設と10のバックエンド施設から構成されるデュアルファブコンセプトと、リージョナルな要件を満たす強力なサプライチェーンネットワークにより、顧客の需要に応える高い供給安定性を確保しています。

インフィニオンは、シリコンパワーMOSFETおよび電源システムのグローバルな市場と技術におけるリーダーです。業界で最も幅広い製品とパッケージのポートフォリオを備え、低電圧から高電圧まであらゆるアプリケーションに対応し、市場で最高の価格性能比を誇るSi、SiC、GaNソリューションを備えた電力システムのフルラインナップを提供しています。インフィニオンのMOSFETは、電力スイッチング、制御、変換において最高クラスの性能、信頼性、使いやすさを実現するように設計されています。当社のシリコン技術は業界のベンチマークです。

インフィニオンの超薄型シリコン ウェーハ技術 - 生産現場におけるウェーハ画像
インフィニオンの超薄型シリコン ウェーハ技術 - 生産現場におけるウェーハ画像
インフィニオンの超薄型シリコン ウェーハ技術 - 生産現場におけるウェーハ画像

超薄型シリコンパワー ウェーハ技術

インフィニオンは、わずか20 μmの厚さで直径300 mmという、これまで大規模半導体工場で製造されたなかで最も薄いシリコン パワー ウェーハの取り扱いと加工に成功し、画期的な成果を達成しました。このウェーハは人間の髪の毛よりも薄く、現在の最先端のウェーハの半分の厚さであり、インフィニオンは半導体技術の技術的限界を押し広げ、卓越した顧客価値の提供を実現しました。

シリコン超薄型ウェーハは、AIデータセンター、民生、モーター制御、コンピューティングアプリケーションにおける電力変換ソリューションのエネルギー効率、電力密度、信頼性の大幅な向上に役立ちます。

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アプリケーション

インフィニオンは電力システムのリーダーとして、シリコン (Si) 、炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) の幅広いポートフォリオを備え、関連する3つの半導体材料すべてに精通しています。Si、SiC、GaNのすべての利点を活用して顧客価値の向上を加速し、あらゆる電圧クラスとアプリケーションにわたって補完的または単独で使用できるソリューションを提供し、顧客の要件に沿ってサポートします。

Si SiC GaNアプリケーションのビジュアル - ターゲットアプリケーションの概要
Si SiC GaNアプリケーションのビジュアル - ターゲットアプリケーションの概要
Si SiC GaNアプリケーションのビジュアル - ターゲットアプリケーションの概要

製品

インフィニオンのSi MOSFETポートフォリオをご覧ください

OptiMOS™およびStrongIRFET™パワーMOSFET

OptiMOS™パワーMOSFETは、最高の効率と電力密度を兼ね備えた最高クラスの性能を提供します。StrongIRFET™パワーMOSFETは、堅牢な産業用アプリケーション向けに設計されており、スイッチング周波数が低い設計や高い電流容量を必要とする設計に最適です。

OptiMOS™とStrongIRFET™

CoolMOS™ NチャネルMOSFET

CoolMOS™ MOSFETは、優れた整流耐性を備え、幅広い電圧クラスに対応しているため、スイッチング損失と伝導損失が大幅に低減し、効率と使いやすさが向上しています。

CoolMOS™

MOSFET技術

この初心者向けガイドで MOSFET テクノロジーの詳細を確認し、MOSFETの構造、NチャネルMOSFETの動作モード、電流電圧曲線などについて詳しくご確認いただけます。

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ドキュメント

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Silicon power MOSFETs: Infineon's path to global market leadership
Learn why Infineon is the global leader in silicon power MOSFETs and how our expertise, broad portfolio, and unmatched technology are shaping the future of power electronics.
Infineon unveils silicon power wafer of only 20 micrometers thickness
To overcome the technical hurdles in reducing wafer thickness to the order of 20 micrometers, Infineon engineers had to establish an innovative and unique wafer grinding approach, since the metal stack that holds the chip on the wafer is thicker than 20 micrometers. This significantly influences handling and processing the backside of the thin wafer. Additionally, technical and production-related challenges like wafer bow and wafer separation have a major impact on the backend assembly processes
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Infineon’s leadership in silicon power MOSFETs
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インフィニオンのシリコンパワーMOSFETのイノベーションの歴史

インフィニオンのシリコンパワーMOSFETのイノベーションの歴史。この画像は、当社のSi MOSFETが時間の経過とともにどのように進化してきたかを示しています。
インフィニオンのシリコンパワーMOSFETのイノベーションの歴史。この画像は、当社のSi MOSFETが時間の経過とともにどのように進化してきたかを示しています。
インフィニオンのシリコンパワーMOSFETのイノベーションの歴史。この画像は、当社のSi MOSFETが時間の経過とともにどのように進化してきたかを示しています。

FAQ

シリコンは、確立された製造エコシステム、信頼性の高い電気特性、幅広い製品ラインナップ、優れた価格性能比により、依然として主要な半導体材料となっています。

シリコンベースのパワーデバイス、特にスーパージャンクションMOSFET (CoolMOS™)と低電圧および中電圧 MOSFET (OptiMOS™ 、StrongIRFET™) は、パフォーマンスの限界を押し広げ続けています。超薄型ウェーハなどの革新技術と強化された熱パッケージングを組み合わせることで、エネルギー効率、電力密度、熱挙動が向上します。これにより、AIデータ センター、モーター制御、民生用電子機器、コンピューティング アプリケーションなどのアプリケーションに性能上の利点がもたらされます。

シリコンの結晶構造により、ドーピングによる伝導の制御が可能になり、MOSFET およびダイオードの動作の基礎となるP-N接合が形成されます。MOSFETでは、シリコン チャネルがゲート誘導電界を介して電流の流れを制御し、スイッチングと増幅を可能にします。

シリコンは以下の分野で進化し続けます:

超薄型ウェーハと改良されたパッケージング

· 20µm ウェーハは、AI データ センターなどのアプリケーションの電力密度、効率、信頼性を向上。

スーパージャンクション イノベーション (CoolMOS™)

· 導通損失とスイッチング損失を低減し、より高効率で高出力のシステムを実現

· 通常、高電圧/オフライン電力変換 (例: PFC、LLC、フライバック) に最適

· 多くのトポロジーで高いスイッチング周波数とコンパクトな磁気を実現

先進のトレンチ Si MOSFET (OptiMOS™および StrongIRFET™)

· 通常は、大電流の低電圧から中電圧アプリケーションに最適

· 通信、サーバー、データ通信、太陽光発電、バッテリー駆動のアプリケーションにおいて重要な、極めて低いRDS(on) 、高いスイッチング速度、拡張SOAを実現

同期整流、DC-DCステージ、電力分配で一般的に使用

AIデータ センターは、電力フロー全体にわたる複数の変換ステップで最適化されたシリコン テクノロジに依存しています。インフィニオンのシリコン技術は、その信頼性と、複数の冷却コンセプトをサポートする幅広いパッケージ ポートフォリオの可用性により、これを実現します。Si、SiC、GaNを組み合わせたハイブリッド アーキテクチャは、AIデータ センターのさまざまなニーズを満たすバランスの取れたアプローチを提供します。モジュラー設計により、各テクノロジーの強みが発揮され、AIデータセンターの効率、電力密度、コスト、市場投入までの時間が最大化されます。

インフィニオンのシリコン デバイスには次のものがあります。

  • パワーMOSFET
  • 小信号MOSFET
  • IGBT
  • センサー
  • integrated circuit (集積回路)
  • ダイオード

インフィニオンMOSFETの利点は次のとおりです。

  • 特定のアプリケーション要件に合わせてカスタマイズされたさまざまな最適化機能を備え、使いやすく堅牢なMOSFETを取り揃えた、最も幅広いSi MOSFETの製品ラインナップ ポートフォリオを提供しています。インフィニオンのシリコンパワーMOSFETは、性能の卓越性において業界のベンチマークを確立しています。
  • 標準コンポーネントから高性能コンポーネントまで、ポートフォリオ全体で最高の価格性能比
  • 製造、性能、信頼性、使いやすさにおける世界クラスのイノベーション
  • インフィニオンのMOSFETは、電力スイッチング、制御、変換において最高クラスの性能、信頼性、使いやすさを実現するように設計されています。当社のシリコン技術は業界のベンチマークです。
  • 世界最大のシリコンパワーMOSFET生産能力を誇り、すべての市場に向けてあらゆるテクノロジーに対応する6つのフロントエンド施設と10のバックエンド施設から構成されるデュアルファブ コンセプトと、リージョナルな要件を満たす強力なサプライチェーン ネットワークにより、顧客の需要に応える高い供給安定性を確保しています。
  • シリコンMOSFETは、システム効率と電力密度を向上させる電源ソリューションを実現します。これらのデバイスは、個々のシステムおよびアプリケーションの要件を満たすよう特別に最適化されており、全体的なシステムコストを削減しながら顧客の市場での成功を促進します。
  • 超薄型シリコン ウェーハ技術により、エネルギー効率、電力密度、電力変換の信頼性が向上します。

インフィニオンのシリコンMOSFETポートフォリオには以下があります。

  • OptiMOS™ (低電圧および中電圧、産業用トレンチMOSFET)
  • StrongIRFET™ (低電圧および中電圧、標準グレード、堅牢なMOSFET)
  • CoolMOS™ (高耐圧スーパージャンクションMOSFET)