62 mmパワー モジュール

インバーター設計で定評のある62 mm 製品ファミリー

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概要

柔軟性、最適な電気的性能、最高の信頼性。これらは、インバーター レイアウトを成功させるためのキーワードです。定評のある当社の62 mmモジュールは、お客様の設計に最適です。600 V/650 V/1200 Vおよび1700 Vのハーフブリッジ、チョッパー、コモン エミッター、シングルスイッチの製品ファミリーを紹介します。

主な特長

  • 600 V/650 V/1200 V/1700 V
  • 1200 Vでの定格電流: 50～150 A
  • IGBT4チップ技術
  • さまざまなIGBTチップ世代

製品

概要

34 mmおよび62 mmモジュールポートフォリオ

62 mmパワー モジュールは幅広い製品ラインアップを備えており、お客様はさまざまな電圧クラス、電力定格、IGBTチップ世代から選択できます。1200 V 62 mmポートフォリオの最新製品は、RDS(on) 定格が2、3、6 mΩ のCoolSiC™ MOSFETを統合した製品です。設計者は、ユーザーに高い柔軟性と信頼性を提供する34 mmおよび62 mmの幅広い製品ポートフォリオのメリットを得られます。さらに、このポートフォリオは、あらゆる種類のアプリケーション向けの最新のインバーター コンセプトを効率的に実現するうえで役立ちます。

インフィニオンは、開発サイクルの短縮をサポートし、最初のモジュール測定を支援する評価ボードを提供しています。当社の最新のドライバ チップは、シリアル使用に採用されています。回路図、レイアウト、および部品リストは、評価用ボードのユーザー ガイドに記載されています。

62 mmモジュールの主な特長

62 mmモジュールには、たとえば周波数制御インバーター ドライブ向けの優れたソリューション、UL 1557 E83336によるUL/CSA認証、最大150 ℃ の動作温度、最適化されたスイッチング特性 (ソフトネス) 、スイッチング損失の低減など、重要な特長が組み込まれています。大電流対応の既存パッケージはすべてRoHSに準拠しており、あらかじめ塗布されたサーマル インターフェース マテリアル付きも用意しています。

IGBT7 搭載の 62 mm モジュール

62 mm IGBT7モジュールは、高い信頼性と優れた性能を備えたパワー モジュール ソリューションに最適です。このミディアム パワー モジュール ファミリーには、最先端のTRENCHSTOP™ IGBT7チップ技術が搭載されています。800 Aのハーフブリッジ構成により、パッケージ ファミリー内で最高の電気的性能と最先端のパワー サイクル耐量を提供します。62 mmモジュールの高い機械的堅牢性は、ニッケルコーティングされた堅牢な銅ベースプレートとねじ式の主端子によって実現されています。ハウジング中央に配置された主端子は、低インダクタンスのDCリンク接続により、並列接続および3レベル構成に適しています。

すべてのモジュールは、当社の確立された事前に塗布されたサーマルインターフェース材料で入手可能です。

TRENCHSTOP™ IGBT7
IGBT7を搭載した62mmモジュールの特長の詳細

IGBT7を搭載した62mmモジュールには、より高いモジュール性能や定格電流など、重要な主要機能が組み込まれています。熱抵抗を最小限に抑え、システム寿命を延ばし、取り付けを簡素化するためのサーマル インターフェースマテリアル(TIM)の事前塗布オプションもご用意しています。UL 1557 E83336によるUL/CSA認証、最大150°Cの動作温度、175°Cの過負荷、およびRoHS準拠の材料により、これらの62 mmモジュールはエキスパートの選択となります。

CoolSiC™ MOSFETを搭載した62 mmモジュール

CoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、中電力から高電力のシステムでシステムのコストとサイズを削減します。SiCの優れた材料特性のおかげで、低電圧の世界 (<600V) で可能だったソリューションが、高電圧でも実現可能になりました。 厚いゲート酸化膜と組み合わせた優れたトレンチ技術は、最高の信頼性を提供します。さらに、CoolSiC™ボディダイオードは長期間安定し、Vthドリフトもありません。

産業用ベンチマーク技術であるCoolSiC™ トレンチMOSFETは、シリコンIGBT技術が限界に達する高ボリューム用途により、62 mmパワー モジュール市場を開拓し、拡大します。

CoolSiC™ MOSFETを搭載した62mmモジュールは非常に低損失の高速スイッチングモジュールであり、上下のスイッチで同じスイッチング動作を実現する対称モジュール設計、標準的で実績のある製造技術、非常に低いスイッチング損失による最小限の冷却労力、磁気部品削減のための高いスイッチング周波数、設置面積と体積の小型化、モジュールコンセプトによるシステムコストの削減、62mmの大容量ラインでの生産などの重要な主要機能が組み込まれています。

CoolSiC™について
34 mmおよび62 mmモジュールポートフォリオ

62 mmパワー モジュールは幅広い製品ラインアップを備えており、お客様はさまざまな電圧クラス、電力定格、IGBTチップ世代から選択できます。1200 V 62 mmポートフォリオの最新製品は、RDS(on) 定格が2、3、6 mΩ のCoolSiC™ MOSFETを統合した製品です。設計者は、ユーザーに高い柔軟性と信頼性を提供する34 mmおよび62 mmの幅広い製品ポートフォリオのメリットを得られます。さらに、このポートフォリオは、あらゆる種類のアプリケーション向けの最新のインバーター コンセプトを効率的に実現するうえで役立ちます。

インフィニオンは、開発サイクルの短縮をサポートし、最初のモジュール測定を支援する評価ボードを提供しています。当社の最新のドライバ チップは、シリアル使用に採用されています。回路図、レイアウト、および部品リストは、評価用ボードのユーザー ガイドに記載されています。

62 mmモジュールの主な特長

62 mmモジュールには、たとえば周波数制御インバーター ドライブ向けの優れたソリューション、UL 1557 E83336によるUL/CSA認証、最大150 ℃ の動作温度、最適化されたスイッチング特性 (ソフトネス) 、スイッチング損失の低減など、重要な特長が組み込まれています。大電流対応の既存パッケージはすべてRoHSに準拠しており、あらかじめ塗布されたサーマル インターフェース マテリアル付きも用意しています。

IGBT7 搭載の 62 mm モジュール

62 mm IGBT7モジュールは、高い信頼性と優れた性能を備えたパワー モジュール ソリューションに最適です。このミディアム パワー モジュール ファミリーには、最先端のTRENCHSTOP™ IGBT7チップ技術が搭載されています。800 Aのハーフブリッジ構成により、パッケージ ファミリー内で最高の電気的性能と最先端のパワー サイクル耐量を提供します。62 mmモジュールの高い機械的堅牢性は、ニッケルコーティングされた堅牢な銅ベースプレートとねじ式の主端子によって実現されています。ハウジング中央に配置された主端子は、低インダクタンスのDCリンク接続により、並列接続および3レベル構成に適しています。

すべてのモジュールは、当社の確立された事前に塗布されたサーマルインターフェース材料で入手可能です。

TRENCHSTOP™ IGBT7
IGBT7を搭載した62mmモジュールの特長の詳細

IGBT7を搭載した62mmモジュールには、より高いモジュール性能や定格電流など、重要な主要機能が組み込まれています。熱抵抗を最小限に抑え、システム寿命を延ばし、取り付けを簡素化するためのサーマル インターフェースマテリアル(TIM)の事前塗布オプションもご用意しています。UL 1557 E83336によるUL/CSA認証、最大150°Cの動作温度、175°Cの過負荷、およびRoHS準拠の材料により、これらの62 mmモジュールはエキスパートの選択となります。

CoolSiC™ MOSFETを搭載した62 mmモジュール

CoolSiC™ MOSFETは、システムの複雑さを軽減し、中電力から高電力のシステムでシステムのコストとサイズを削減します。SiCの優れた材料特性のおかげで、低電圧の世界 (<600V) で可能だったソリューションが、高電圧でも実現可能になりました。 厚いゲート酸化膜と組み合わせた優れたトレンチ技術は、最高の信頼性を提供します。さらに、CoolSiC™ボディダイオードは長期間安定し、Vthドリフトもありません。

産業用ベンチマーク技術であるCoolSiC™ トレンチMOSFETは、シリコンIGBT技術が限界に達する高ボリューム用途により、62 mmパワー モジュール市場を開拓し、拡大します。

CoolSiC™ MOSFETを搭載した62mmモジュールは非常に低損失の高速スイッチングモジュールであり、上下のスイッチで同じスイッチング動作を実現する対称モジュール設計、標準的で実績のある製造技術、非常に低いスイッチング損失による最小限の冷却労力、磁気部品削減のための高いスイッチング周波数、設置面積と体積の小型化、モジュールコンセプトによるシステムコストの削減、62mmの大容量ラインでの生産などの重要な主要機能が組み込まれています。

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