TO-247PLUS

TO-247PLUSパッケージでの最高電流密度のIGBT

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概要

1200 V /最大75 Aまたは600 V/ 最大120 A、600 V IGBTにTO-247フットプリントのダイオードを搭載した最高電力密度、20%低いRth(jh)、15%優れた熱放散、および高速クリップアセンブリ。

主な特長

  • 高速クリップアセンブリ
  • より高い電流密度
  • 既存の設計を簡単にアップグレード
  • システム温度管理の改善

製品

概要

1200 V - 並列電源スイッチの数を削減

アクティブチップ面積が大きいため、新しいTO-247PLUSパッケージは、75 A IGBTおよび75A ダイオードを搭載可能です。TO-247-3の25A製品３つ分の部品を、TO-247PLUSの75Aの1つの部品に置き換えることができます。同じICで並列数を削減し、IGBT制御が容易になり、システムの信頼性が向上し、設計がコンパクトになり、部品表(BOM)が削減されます。

1200 V - 利用可能な設計を簡単にアップグレードして、より高い電力出力を実現

TO-247PLUS-3のより高い電流密度により、同じフットプリントと熱条件を維持しながら、40 A IGBTを75 A IGBTに1対1で置き換えることができます。インフィニオンの社内ラボテストでは、B6ドライブトポロジーであるTO-247-3の40 A IGBTをTO-247PLUSの75 A IGBTに置き換えることで、Poutが40 %増加したことが示されました。既存の設計を簡単にアップグレードして高出力にすることができます(IC増加)。再設計の労力がほとんどなく、研究開発コストが低く、再設計時間が短縮されます。

1200 V - 改善されたシステムの熱管理 Tj と Tc の削減

TO-247PLUSパッケージの裏面サーマルパッド面積が35 %大きいため、パッケージのRthが20 %低くなり、放熱性が15 %向上します。TO-247-3の40A IGBTを同じ電流の40 A IGBTに置き換えると、TO-247PLUSパッケージでは、(同じICで)ジャンクション温度Tjを下げることができます。ジャンクション温度Tjが低いほど、IGBTへの熱ストレスが軽減され、より小さなヒートシンクまたはより強力でない冷却ファンを使用できるため、より低いBOMでシステム寸法が小さくなります。

TO-247PLUSパッケージで設計の柔軟性を最大限に高めます。

600 V - TO-247PLUSにおけるIGBTの利点

フル定格ダイオードを内蔵したJEDEC標準TO-247PLUSの100 A / 120 A IGBTを採用する利点は何ですか？

利点は用途 (出力向上または電力密度向上) に応じてさまざまで、サイズとコストの削減、熱性能の向上、信頼性の向上、長寿命化などが挙げられます。

利用可能な設計を簡単にアップグレードして高出力を実現:75 A IGBTを120 Aデバイスに1対1で置き換えることで、同じフットプリントと熱条件を維持しながら、電力出力を最大40 %向上させることができます。

システムの電力密度が向上し、PCB フットプリントとコストが削減されます。システムの公称電流ICを同じに保つことで、TO-247の75 A IGBT 3個をTO-247PLUSの120 A IGBT 2個に置き換えることができます。

IGBTの信頼性向上と長寿命化のための熱条件の改善:TO-247PLUSのサーマルパッド面積が35%拡大し、放熱性が10%〜15%向上し、ジャンクション温度Tjを低く抑えることが可能です。

TO-247PLUSパッケージのTRENCHSTOP™により、設計の柔軟性を最大限に高めます。

1200 V - 並列電源スイッチの数を削減

アクティブチップ面積が大きいため、新しいTO-247PLUSパッケージは、75 A IGBTおよび75A ダイオードを搭載可能です。TO-247-3の25A製品３つ分の部品を、TO-247PLUSの75Aの1つの部品に置き換えることができます。同じICで並列数を削減し、IGBT制御が容易になり、システムの信頼性が向上し、設計がコンパクトになり、部品表(BOM)が削減されます。

1200 V - 利用可能な設計を簡単にアップグレードして、より高い電力出力を実現

TO-247PLUS-3のより高い電流密度により、同じフットプリントと熱条件を維持しながら、40 A IGBTを75 A IGBTに1対1で置き換えることができます。インフィニオンの社内ラボテストでは、B6ドライブトポロジーであるTO-247-3の40 A IGBTをTO-247PLUSの75 A IGBTに置き換えることで、Poutが40 %増加したことが示されました。既存の設計を簡単にアップグレードして高出力にすることができます(IC増加)。再設計の労力がほとんどなく、研究開発コストが低く、再設計時間が短縮されます。

1200 V - 改善されたシステムの熱管理 Tj と Tc の削減

TO-247PLUSパッケージの裏面サーマルパッド面積が35 %大きいため、パッケージのRthが20 %低くなり、放熱性が15 %向上します。TO-247-3の40A IGBTを同じ電流の40 A IGBTに置き換えると、TO-247PLUSパッケージでは、(同じICで)ジャンクション温度Tjを下げることができます。ジャンクション温度Tjが低いほど、IGBTへの熱ストレスが軽減され、より小さなヒートシンクまたはより強力でない冷却ファンを使用できるため、より低いBOMでシステム寸法が小さくなります。

TO-247PLUSパッケージで設計の柔軟性を最大限に高めます。

600 V - TO-247PLUSにおけるIGBTの利点

フル定格ダイオードを内蔵したJEDEC標準TO-247PLUSの100 A / 120 A IGBTを採用する利点は何ですか？

利点は用途 (出力向上または電力密度向上) に応じてさまざまで、サイズとコストの削減、熱性能の向上、信頼性の向上、長寿命化などが挙げられます。

利用可能な設計を簡単にアップグレードして高出力を実現:75 A IGBTを120 Aデバイスに1対1で置き換えることで、同じフットプリントと熱条件を維持しながら、電力出力を最大40 %向上させることができます。

システムの電力密度が向上し、PCB フットプリントとコストが削減されます。システムの公称電流ICを同じに保つことで、TO-247の75 A IGBT 3個をTO-247PLUSの120 A IGBT 2個に置き換えることができます。

IGBTの信頼性向上と長寿命化のための熱条件の改善:TO-247PLUSのサーマルパッド面積が35%拡大し、放熱性が10%〜15%向上し、ジャンクション温度Tjを低く抑えることが可能です。

TO-247PLUSパッケージのTRENCHSTOP™により、設計の柔軟性を最大限に高めます。

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