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概要

デュアルチャネルMOSFET EiceDRIVER™ドライバICは、制御IC、強力なMOSFET、およびGaNスイッチングデバイス間の重要なリンクです。 MOSFETドライバICは、高いシステムレベルの効率、優れた電力密度、および一貫したシステムの堅牢性を実現します。

主な機能
  • ±5A のソース/シンク電流
  • 伝搬遅延精度:+6/-4ns
  • 1.8μs の出力起動時間
  • 500ns の出力シャットダウン時間
  • アクティブ出力電圧クランプ
  • -12V入力の堅牢性
  • 5A の逆電流耐性
  • 4.2V および8V のUVLO オプション
アプリケーション
通信インフラ向けのAC-DCコンバーター
モーター制御
スイッチモード電源 (SMPS)
サーバー電源
太陽光発電

製品

概要

EiceDRIVER™ MOSFET 向けの2EDNゲートドライバ

EiceDRIVER™ 2EDNファミリーは、8ピンDSO、TSSOPおよびWSONパッケージと、小型で汎用性の高い6ピンSOT23パッケージで提供されます。 高い出力電流能力とアクティブ出力電圧クランプ、厳密なタイミング仕様、最適化されたスタートアップ/シャットダウン時間により、2EDNファミリーは多くの高速スイッチングアプリケーションにとって最初の選択肢となっています。

EiceDRIVER™ 2EDNゲートドライバにより、システムレベルの高効率を実現

高効率の EiceDRIVER™ 2EDNゲートドライバ ファミリーは、5nsの短いスルーレートと10nsの伝搬遅延精度を提供し、高速MOSFETおよびGaNスイッチングを実現します。 さらに、1nsのチャネル間精度により、2つのチャネルを並列に使用でき、2つの5Aチャネルにより幅広いアプリケーションオプションが可能です。

優れた電力密度と一貫したシステムの堅牢性

EiceDRIVER™ 2EDNファミリーは、異常な条件下で即座にMOSFET保護を実現する4.2Vおよび8VのUVLO(低電圧ロックアウト)オプションなど、電力密度とシステムの堅牢性のための幅広い機能を提供します。 2EDNファミリーは業界標準のパッケージとピン配置で提供されるため、システム設計のアップグレードが容易です。

EiceDRIVER™ MOSFET 向けの2EDNゲートドライバ

EiceDRIVER™ 2EDNファミリーは、8ピンDSO、TSSOPおよびWSONパッケージと、小型で汎用性の高い6ピンSOT23パッケージで提供されます。 高い出力電流能力とアクティブ出力電圧クランプ、厳密なタイミング仕様、最適化されたスタートアップ/シャットダウン時間により、2EDNファミリーは多くの高速スイッチングアプリケーションにとって最初の選択肢となっています。

EiceDRIVER™ 2EDNゲートドライバにより、システムレベルの高効率を実現

高効率の EiceDRIVER™ 2EDNゲートドライバ ファミリーは、5nsの短いスルーレートと10nsの伝搬遅延精度を提供し、高速MOSFETおよびGaNスイッチングを実現します。 さらに、1nsのチャネル間精度により、2つのチャネルを並列に使用でき、2つの5Aチャネルにより幅広いアプリケーションオプションが可能です。

優れた電力密度と一貫したシステムの堅牢性

EiceDRIVER™ 2EDNファミリーは、異常な条件下で即座にMOSFET保護を実現する4.2Vおよび8VのUVLO(低電圧ロックアウト)オプションなど、電力密度とシステムの堅牢性のための幅広い機能を提供します。 2EDNファミリーは業界標準のパッケージとピン配置で提供されるため、システム設計のアップグレードが容易です。

ドキュメント

ドキュメント

ニュースおよびハイライト

2EDN EiceDRIVER™ - 2チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバーIC - パート1

2EDN EiceDRIVER™ - 2チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバーIC - パート1

EiceDRIVER™ MOSFET用ゲートドライバーキット - 概要:1EDN、2EDN、1EDN TDI、2EDI

インフィニオンは、MOSFET用のさまざまなEiceDRIVER™ゲートドライバを幅広く提供しています。インフィニオンのシングルチャネルMOSFET ゲートドライバIC は、制御IC、強力なMOSFET、およびGaN スイッチングデバイスを接続するための不可欠なリンクとして機能します。 また、2EDN 2チャネルMOSFETドライバICも用意されています。真の差動入力を備えたシングルチャネル非絶縁型ゲートドライバ:1EDN TDIEiceDRIVER™ 2EDiは、ゲートドライバICのデュアルチャネル絶縁製品ファミリーであり、高性能 CoolMOS™、CoolSiC™、およびOptiMOS™ MOSFETハーフブリッジで堅牢な動作を実現するように設計されています。

次世代のEiceDRIVER™ 2EDN Gen 2ゲートドライバーIC

新しいEiceDRIVER™ 2EDN Gen 2ファミリーは、堅牢なデュアルチャネルのローサイド4A/5AゲートドライバーICで構成されています。高速パワーMOSFETだけでなく、ワイドバンドギャップ(WBG)スイッチングデバイスも対象としています。ゲート・ドライバにより、エンジニアはさまざまなパッケージ・サイズで設計要件を満たし、低電圧ロックアウト (UVLO) の前に安全なターンオフを確保し、より高速なUVLO反応を実現して堅牢な動作とノイズ耐性を実現できます。

2EDN EiceDRIVER™ - 2チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバーIC - パート2

インフィニオンのSmall Signalポートフォリオは、NチャネルおよびPチャネル製品のほか、-250Vから最大800VまでのデプレッションMOSFETを提供しています。これらは、シングル、デュアル、および補完的な構成で利用できます。これらのデバイスは、LEDドライバ、逆極性保護、DC/DCコンバータ、汎用スイッチなどのアプリケーション向けに最適化されています。