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インフィニオンのシングルチャネルMOSFET ゲートドライバIC は、制御IC、強力なMOSFET、およびGaN スイッチングデバイスを接続するための不可欠なリンクとして機能します。 インフィニオンのゲートドライバIC は、高いシステムレベルの効率、優れた電力密度、一貫したシステムの堅牢性を実現します。

  • 4.2V および8V のUVLO オプション
  • 伝搬遅延 +6/-4 ns
  • 4 A ソース駆動能力
  • 8 Aシンク駆動能力
  • 5A 回転の出力電流の堅牢性
  • 業界標準のピン配置
  • 業界標準パッケージ

製品

概要

MOSFET向けの EiceDRIVER™ 1EDN ゲートドライバは、5ns の短いスルーレートと±5ns の伝搬遅延精度によって実現される高効率のSMPS を提供し、高速なMOSFET およびGaN スイッチングを実現します。 この製品ファミリーは、SOT-23 5ピンおよび6ピン、および業界標準と完全に互換性のあるWSON 6ピンパッケージで提供され、システム設計のアップグレードを容易にします。

MOSFET向けの EiceDRIVER™ 1EDN ゲートドライバは、いくつかの機能を組み合わせることにより、堅牢性と低消費電力の点で新しいリファレンスです。 制御入力とイネーブル入力の-10V の堅牢性は、パルス トランスを駆動する際に重要な安全マージンを提供します。 5A の逆出力電流耐性により、TO-220およびTO-247パッケージのMOSFET を駆動する際にショットキー スイッチング ダイオードが不要です。 4.2V および8V のUVLO (低電圧ロックアウト) オプションは、起動時および異常状態時にMOSFET を瞬時に保護します。 真のレール ツー レール低インピーダンス出力段を使用して低消費電力をサポート

MOSFET向けの EiceDRIVER™ 1EDN ゲートドライバは、アプリケーション設計プロセスを簡素化するいくつかの機能を提供します。 個別のソース出力とシンク出力、業界標準パッケージ、およびピン配置を使用することで、アプリケーション設計を簡素化できます。 さらに、1EDN ゲートドライバIC を使用することで、顧客はBoM のサイズやPCB の面積などの他の領域でも節約することができます。

MOSFET向けの EiceDRIVER™ 1EDN ゲートドライバは、5ns の短いスルーレートと±5ns の伝搬遅延精度によって実現される高効率のSMPS を提供し、高速なMOSFET およびGaN スイッチングを実現します。 この製品ファミリーは、SOT-23 5ピンおよび6ピン、および業界標準と完全に互換性のあるWSON 6ピンパッケージで提供され、システム設計のアップグレードを容易にします。

MOSFET向けの EiceDRIVER™ 1EDN ゲートドライバは、いくつかの機能を組み合わせることにより、堅牢性と低消費電力の点で新しいリファレンスです。 制御入力とイネーブル入力の-10V の堅牢性は、パルス トランスを駆動する際に重要な安全マージンを提供します。 5A の逆出力電流耐性により、TO-220およびTO-247パッケージのMOSFET を駆動する際にショットキー スイッチング ダイオードが不要です。 4.2V および8V のUVLO (低電圧ロックアウト) オプションは、起動時および異常状態時にMOSFET を瞬時に保護します。 真のレール ツー レール低インピーダンス出力段を使用して低消費電力をサポート

MOSFET向けの EiceDRIVER™ 1EDN ゲートドライバは、アプリケーション設計プロセスを簡素化するいくつかの機能を提供します。 個別のソース出力とシンク出力、業界標準パッケージ、およびピン配置を使用することで、アプリケーション設計を簡素化できます。 さらに、1EDN ゲートドライバIC を使用することで、顧客はBoM のサイズやPCB の面積などの他の領域でも節約することができます。

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