SPB80N06S-08

SPB80N06S-08

55V, N-Ch, 8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, SIPMOS™
データシート

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SPB80N06S-08
SPB80N06S-08
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • IDpuls (最大)
    320 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    19 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) (最小)
    2.1 V
  • VGS(th) (最大)
    4 V
  • パッケージ
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 予算価格€/ 1k
    1.94
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    SIPMOS™
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

特長

  • N-channel - Normal Level -Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Avalanche test
  • Repetive Avalanche up to Tjmax = 175 ° VDD=30 V, ID=80 A, VGS=10 V, RG=2.4 W
  • dv /dt rated

利点

  • world's lowest RDS at 55V (on)  in planar technology
  • highest current capability
  • lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
  • robust packages with superior quality and reliability
  • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ