S70GL02GT12FHAV13
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70GL02GT12FHAV13

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S70GL02GT12FHAV13
S70GL02GT12FHAV13

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    2 GBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    -
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    120 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S70GL02GT12FHAV13
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-13243)
梱包サイズ 1600
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-13243)
梱包サイズ 1600
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S70GL02GT12FHAV13はInfineonの45 nm MIRRORBIT™技術を採用した2 Gb(256 MB)並列NORフラッシュメモリです。デュアルダイスタック構造、128 KB均一セクタ(2048個)、20 nsページアクセス、110 nsランダムアクセスを実現。2.7~3.6 V単一電源、1.65 V~VCCの多様なI/O電圧、×8/×16データバス、高度なセクタ保護を備えます。自動車、産業、組込み用途に最適で、10万回の書き換え、20年データ保持。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™プロセス技術
  • パラレル3.0 Vコアと多様なI/O
  • ×8/×16データバス対応
  • 16ワード/32バイトページリードバッファ
  • 512バイトプログラムバッファ
  • 128 KB均一セクタ、2048セクタ
  • プログラム/消去のサスペンド・再開
  • 高度なセクタ保護(ASP)
  • WP#入力で最終セクタ保護
  • 20 nsページアクセス、110 nsランダム
  • セクタごと10万回書き換え
  • 1Kサイクルで20年データ保持

利点

  • 高密度で組込用途に最適
  • 高速プログラムでシステム向上
  • 柔軟I/Oで幅広く対応
  • 大セクタで効率的データ管理
  • 高度保護でデータ安全
  • 状態監視で設計容易
  • 長寿命で保守低減
  • 低消費電力で電池長持ち
  • 高速アクセスで性能向上
  • 重要コード領域を保護
  • 温度変化でも安定動作
  • 長期データ保持で信頼性

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ