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S25FL127SABNFI100
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S25FL127SABNFI100

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S25FL127SABNFI100
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製品仕様情報

  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    108 / -
  • インターフェース帯域幅
    54 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25FL127SABNFI100
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18755)
梱包サイズ 980
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18755)
梱包サイズ 980
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25FL127SABNFI100は128 MbのSPIマルチI/O NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術を採用。動作電圧2.7 V～3.6 V、最大108 MHz対応、ハイブリッド・ユニフォーム消去方式を選択可能。各セクタ10万回以上の耐久性、最低20年のデータ保持。工業用・車載用グレード（AEC-Q100準拠、-40°C～+125°C）を提供。OTPやブロック保護などのセキュリティ機能を搭載。用途はコードシャドウや組み込みアプリケーション。

特長

  • CMOS 3.0 Vコア
  • 128 Mb (16 MB)容量
  • SPIマルチI/O対応
  • 24/32ビットアドレス
  • 読み出し：ノーマル/高速/デュアル/クワッド
  • AutoBootで自動読み出し
  • 256/512バイト書き込みバッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書き換え耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 低電圧で省電力
  • 大容量で多く保存可能
  • SPIマルチI/Oで高い互換性
  • 拡張アドレスで大規模設計対応
  • 多様な読み出しで速度最適化
  • AutoBootで起動高速化
  • 大バッファで書き込み高速
  • ECCで信頼性向上
  • 多様な消去で柔軟対応
  • 高耐久で保守コスト低減
  • 長期保持でデータ安全
  • OTP領域でセキュア

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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