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S25FL064P0XMFB003
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S25FL064P0XMFB003

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S25FL064P0XMFB003
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製品仕様情報

  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    104 / -
  • インターフェース帯域幅
    40 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-P
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S25FL064P0XMFB003
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25FL064P0XMFB003は64 Mbit、3.0 V SPI NORフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit®技術を採用し、128個の均一64 kBセクタ、最大80 MHzのクアッドI/O動作を提供します。動作電圧は2.7 V～3.6 V、温度範囲は-40°C～+105°C、各セクタで最大10万回の書き換え、データ保持は20年。自動車、産業、組込み用途の高信頼・高速不揮発性ストレージに最適です。

特長

  • 3.0 V単一電源動作
  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 均一64KBセクタ、256バイトページ
  • CFI準拠でホスト互換
  • ページプログラム256バイト1.5 ms
  • 通常読出40MHz、高速読出104MHz
  • デュアル/クワッドI/O高性能読出80MHz
  • 一括・セクタ・サブセクタ消去対応
  • セクタあたり10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 多様なデータ保護モード
  • ワンタイムプログラマブル領域

利点

  • 電源設計を簡素化
  • 高信頼性の先進プロセス
  • 柔軟なメモリ構成
  • 標準ホストと容易に統合
  • 高速書込で生産効率向上
  • 高速読出でシステム性能向上
  • デュアル/クワッドI/Oで高速化
  • 多様な消去で柔軟運用
  • 長寿命で保守負担軽減
  • データ長期安全保持
  • 多重保護で誤書込防止
  • 永久データの安全保存

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ