S25FL064P0XMFB003

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL064P0XMFB003
S25FL064P0XMFB003


製品仕様情報


OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FL064P0XMFB003は64 Mbit、3.0 V SPI NORフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit®技術を採用し、128個の均一64 kBセクタ、最大80 MHzのクアッドI/O動作を提供します。動作電圧は2.7 V~3.6 V、温度範囲は-40°C~+105°C、各セクタで最大10万回の書き換え、データ保持は20年。自動車、産業、組込み用途の高信頼・高速不揮発性ストレージに最適です。

特長

  • 3.0 V単一電源動作
  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 均一64KBセクタ、256バイトページ
  • CFI準拠でホスト互換
  • ページプログラム256バイト1.5 ms
  • 通常読出40MHz、高速読出104MHz
  • デュアル/クワッドI/O高性能読出80MHz
  • 一括・セクタ・サブセクタ消去対応
  • セクタあたり10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 多様なデータ保護モード
  • ワンタイムプログラマブル領域

利点

  • 電源設計を簡素化
  • 高信頼性の先進プロセス
  • 柔軟なメモリ構成
  • 標準ホストと容易に統合
  • 高速書込で生産効率向上
  • 高速読出でシステム性能向上
  • デュアル/クワッドI/Oで高速化
  • 多様な消去で柔軟運用
  • 長寿命で保守負担軽減
  • データ長期安全保持
  • 多重保護で誤書込防止
  • 永久データの安全保存

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ