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JANSR2N7666U2A

From -30 V to -200 V, DLA-qualified for space applications
データシート
パッケージ

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JANSR2N7666U2A
JANSR2N7666U2A
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -62 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7666U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    32 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Rad hard, -200V, -62A, P-channel MOSFET, R9 in SUPIR-SMD package – SUPIR-SMD 100 krad(Si) TID, QPL

機能

  • Single event effect (SEE) hardened (up to LET of 90.5 MeV·cm2 /mg)
  • Low RDS(on)
  • Improved SOA for linear mode operation
  • Fast switching
  • Low total gate charge
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Electrically isolated
  • Light Weight
  • ESD rating: Class 3B per MIL-STD-750, Method 1020

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }