JANSR2N7652T1
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JANSR2N7652T1
JANSR2N7652T1

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    194 nC
  • QPL型番
    2N7652T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    7 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス (最大)
    60 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
R9 technology underpins rad hard N-channel MOSFET JANSR2N7652T1 for space applications with improved immunity to SEE and LET up to 90MeV·cm2/mg. With low RDS(on) and faster switching times, these MOSFETs increase power density and reduce power losses in high-speed switching applications like DC-DC converters and motor controllers in space power systems. JANSR2N7652T1 is QPL qualified.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ