JANSR2N7651U8C
新規設計非推奨

JANSR2N7651U8C

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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JANSR2N7651U8C
JANSR2N7651U8C
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    55 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
R9 N-channel MOSFET JANSR2N7651U8C is a rad hard device in a compact SMD-0.2 package with superior immunity to SEE. Its low RDS(on) and fast switching make it ideal for DC-DC converters and motor drives in satellite bus and payload power systems. Exhibiting temperature stability and voltage control, this QPL classified MOSFET can withstand TID up to 100krad(Si) and LET up to 90 MeV·cm2/mg for space applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ