JANSR2N7483T3
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JANSR2N7483T3
JANSR2N7483T3

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    18 A
  • ID (@25°C) (最大)
    18 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7483T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    40 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
JANSR2N7483T3 is a rad hard N-channel MOSFET with a voltage rating of 60V and a current rating of 18A, and electrical performance up to 100krad(Si) TID. The IR HiRel rad hard HEXFET technology ensures high performance and reliability in space applications. The low RDS(on) and gate charge offer lower power losses in switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }