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JANSR2N7433

データシート
パッケージ

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JANSR2N7433
JANSR2N7433
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    25 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    290 nC
  • QPL型番
    2N7433
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    70 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
JANSR2N7433 rad hard MOSFET is a single N-channel device with a 200V, 35A rating and TO-254AA package. It's characterized for Total Dose and Single Event Effects with electrical performance up to 100krad(Si) TID and QPL classification. The HEXFET technology provides high performance and reliability for space applications. Low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }