JANSF2N7626UBN
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JANSF2N7626UBN
JANSF2N7626UBN

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    -0.33 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -0.53 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7626UB
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1300 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF (最大)
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    2
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The P-channel MOSFET JANSF2N7626UBN is a single, rad hard component with a -60V rating and -0.53A capacity. Its UBN package has electrical performance capabilities up to 300krad(Si) TID and QPL qualification, making it ideal for space applications. With its low RDS(on) and power losses, the R7 MOSFET is well-suited for DC-DC converters and motor drives in space power systems.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }