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IRHNS9A7160

データシート
パッケージ

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IRHNS9A7160
IRHNS9A7160
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    93 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL型番
    2N7653U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    6.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The R9 SupIR-SMD packaged N-channel MOSFET is a 100V, 100A rad hard device designed for space applications. Its electrical performance of up to 100krad(Si) TID classification make it a reliable and cost-effective choice. With low RDS(on) and fast switching times, it provides high power density and reduces power losses. Its MOSFET advantages include voltage control, fast switching, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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