IRHNS9A7160
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IRHNS9A7160
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    93 A
  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL型番
    2N7653U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    6.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The R9 SupIR-SMD packaged N-channel MOSFET is a 100V, 100A rad hard device designed for space applications. Its electrical performance of up to 100krad(Si) TID classification make it a reliable and cost-effective choice. With low RDS(on) and fast switching times, it provides high power density and reduces power losses. Its MOSFET advantages include voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ