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IRHNJ9A3130

データシート
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IRHNJ9A3130
IRHNJ9A3130
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7648U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
This rad hard R9 N-channel MOSFET in SMD-0.5 package can handle 100V, 35A with electrical performance up to 300krad(Si) TID classification. With improved immunity to Single Event Effects (SEE) and low RDS(on), IRHNJ9A3130 is ideal for space applications, DC-DC converters, and motor controllers. The MOSFET's fast switching and voltage control are additional benefits.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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