IRHNJ9A3130
Active and preferred

IRHNJ9A3130

データシート
パッケージ

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IRHNJ9A3130
IRHNJ9A3130
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    22 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7648U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    34 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This rad hard R9 N-channel MOSFET in SMD-0.5 package can handle 100V, 35A with electrical performance up to 300krad(Si) TID classification. With improved immunity to Single Event Effects (SEE) and low RDS(on), IRHNJ9A3130 is ideal for space applications, DC-DC converters, and motor controllers. The MOSFET's fast switching and voltage control are additional benefits.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ