IRHNA67164SCV
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IRHNA67164SCV
IRHNA67164SCV

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    49 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7581U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    18 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNA67164SCV R6 N-channel MOSFET is a high-performance power MOSFET designed for space applications. Rad hard and rated at 150V and 49A, it provides reliable electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications while retaining the benefits of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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