IRHF7110SCS
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IRHF7110SCS
IRHF7110SCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    2.2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    600 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHF7110SCS in R4 technology offers a high-performance, rad hard N-channel MOSFET in a TO-205AF package. With a 200V voltage rating and 3.5V gate threshold, this device is ideal for space applications, featuring low RDS(on) and gate charge for reduced power losses during switching. Its electrical performance is characterized up to 100krad(Si) TID and up to LET of 90MeV·cm2/mg, while retaining the advantages of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ