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IRHF7110SCS

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IRHF7110SCS
IRHF7110SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    2.2 A
  • ID (@25°C) max
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    600 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ坝 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHF7110SCS in R4 technology offers a high-performance, rad hard N-channel MOSFET in a TO-205AF package. With a 200V voltage rating and 3.5V gate threshold, this device is ideal for space applications, featuring low RDS(on) and gate charge for reduced power losses during switching. Its electrical performance is characterized up to 100krad(Si) TID and up to LET of 90MeV·cm2/mg, while retaining the advantages of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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