IRFHM830D

IRFHM830D

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package

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IRFHM830D
IRFHM830D


製品仕様情報

  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    16 A
  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    20 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    40 A
  • ID (最大)
    40 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    40 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.8 W
  • Ptot (最大)
    37 W
  • Qgd
    4.5 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.3 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    4.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    7.1 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.4 K/W
  • Special Features
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.4°C/W)
  • Low Profile (less than 1.0 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • Schottky intrinsic diode with low forward voltage
  • Qualified Industrial
  • Qualified MSL1

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ