IRFB42N20D

IRFB42N20D

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

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IRFB42N20D
IRFB42N20D


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    44 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • Qgd
    43 nC
  • QG (typ @10V)
    91 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    55 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V~5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ