IRF6718L2

IRF6718L2

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L6 package rated at 61 amperes optimized with low on resistance

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IRF6718L2
IRF6718L2


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    270 A
  • IDpuls (最大)
    490 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    4.3 W
  • Ptot (最大)
    83 W
  • Qgd
    20 nC
  • QG (typ @4.5V)
    64 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.8 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V~2.35 V
  • VGS(th)
    1.9 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET L6
  • マイクロステンシル
    IRF66L6-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ