IRF6201

IRF6201

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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IRF6201
IRF6201
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    27 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    60 nC
  • QG (typ @4.5V)
    130 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.45 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    20 V
  • VGS(th) 範囲
    0.5 V～1.1 V
  • VGS(th)
    0.8 V
  • VGS (最大)
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-Standard Pinout

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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