IQE030N06NM5
Active and preferred
RoHS対応

IQE030N06NM5

Source-Down Products with industry leading RDS(on) and superior thermal performance
データシート
パッケージ

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IQE030N06NM5
IQE030N06NM5
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    137 A
  • QG (typ @10V)
    39 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.88
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQE030N06NM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The OptiMOS™5 60 V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 60 V and low RDS(on) of 3.0 mOhm, offering a flipped silicon die, which is positioned upside down inside of the component. This allows the source potential (instead of the drain potential) to be connected to the PCB over the thermal pad. Therefore, it offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.

特長

  • Major reduction in RDS(on)30%
  • RthJCover current PQFN
  • Standard & Center Gate available
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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