IPU60R3K4CE

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データシート

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IPU60R3K4CE
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データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    2.6 A
  • ID (最大)
    2.6 A
  • IDpuls (最大)
    3.9 A
  • Qgd
    2.6 nC
  • QG (typ @10V)
    4.6 nC
  • QG
    4.6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3400 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    3400 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    4.26 K/W
  • Rth
    4.26 K/W
  • Tj 範囲
    -40 °C～150 °C
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • パッケージ
    IPAK (TO-251)
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

特長

  • Narrow margins between typical and max RDS(on)
  • Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
  • Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Qrr)
  • Optimized integrated Rg

利点

  • Low conduction losses
  • Low switching losses
  • Suitable for hard and soft switching
  • Easy controllable switching behavior
  • Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption
  • Less design in effort
  • Easy to use

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ