IPT009N10NM8
Active and preferred
RoHS対応

IPT009N10NM8

OptiMOS™ 8パワーMOSFET 100 Vノーマルレベル、TOLLパッケージ
データシート
パッケージ

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IPT009N10NM8
IPT009N10NM8
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    484 A
  • IDpuls (最大)
    1936 A
  • Ptot (最大)
    500 W
  • QG (typ @10V)
    255 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.97 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.4 V～3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPT009N10NM8ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

特長

  • 非常に低いオン抵抗RDS(on)
  • 高いID電流定格
  • ばらつきの少ないVGS(th)
  • 穏やかなボディ ダイオード回復と低Qrr
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 鉛フリーの端子メッキ、RoHS指令に準拠
  • IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
  • J-STD-020の吸湿耐性水準 (MSL) 1適合
  • Nチャネル、ノーマルレベル

利点

  • 価格性能比に優れた技術
  • 最小レベルの伝導損失
  • 優れた電流共有
  • 優れたスイッチング性能を持つソフトボディダイオード
  • 使いやすさ
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ