IPD042P03L3 G
Active and preferred
RoHS対応

IPD042P03L3 G

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30 V, D-PAK
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPD042P03L3 G
IPD042P03L3 G
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    9290 pF
  • Coss
    3570 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -70 A
  • IDpuls (最大)
    -280 A
  • Ptot (最大)
    150 W
  • QG (typ @10V)
    131 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.2 mΩ
  • Rth
    1 K/W
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th) 範囲
    -2 V～-1 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • 予算価格€/ 1k
    0.62
  • 動作温度 (最大)
    175 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
IPD042P03L3GATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Logic level
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • dv/dt rated
Pb-free lead-plating
  • RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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