Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW40N65ET7

650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKW40N65ET7
IKW40N65ET7
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.59 mJ
  • Eon
    1.05 mJ
  • IC (@ 25°) max
    76 A
  • IC (@ 100°) max
    49.5 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    72 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    24.5 A
  • Ptot max
    230.8 W
  • QGate
    235 nC
  • Qrr
    950 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    330 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    17 ns
  • tr
    9 ns
  • tSC
    3 µs
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.65 V
  • スイッチング周波数
    5 kHz to 40 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT7
推奨
OPN
IKW40N65ET7XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP™ IGBT7 discrete in TO-247 package with soft EC7 diode inside. This price performance optimized range has premium controllability for the better EMI while switching losses are lower than the former technologies.

機能

  • Very Low VCEsat
  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Reduced EMI
  • Humidity robust design
  • Very soft anti-parallel diode
  • Maximum junction temperature 175°C
  • Qualified according to JEDEC
  • Pb-free plating: RoHS compliant

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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