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IG1NT052N10R

耐放射線、100 V、52 A、GaNトランジスタ (PowIR-SMDパッケージ) – PowIR-SMD、100 krad TID、COTS
データシート

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IG1NT052N10R
IG1NT052N10R
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    Gen 1
  • ID (@25°C) max
    52 A
  • QG
    13 nC
  • QPL型番
    2N7697
  • RDS (on) (@25°C) max
    6 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    3.9 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • パッケージ
    PowIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

機能

  • 単一イベント効果 (SEE) をLET (GAN)1 = 70 MeV.cm2まで強化/ mg(金イオン)
  • 超低RDS(on)
  • 低総ゲート電荷
  • ゼロ逆回復電荷
  • ハーメチックシール セラミックパッケージ
  • 表面実装
  • 軽量
  • ESD定格: class 1C per MIL-STD-750、Method 1020

利点

  • 絶縁型DC-DCコンバーター
  • モータードライブ
  • 同期整流
  • FPGA、ASIC、およびDSPコアレール用のポイントオブロード (PoL) コンバーター

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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