FM28V202A-TG
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FM28V202A-TG

データシート
パッケージ
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在庫あり

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FM28V202A-TG
FM28V202A-TG
個.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    NiPdAuAg
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推奨
OPN
FM28V202A-TG
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
FM28V202A-TGは2-Mbit（128 K × 16）パラレルF-RAMで、65°Cで151年間のデータ保持と100兆回の耐久性を備えます。動作電圧は2.0 V～3.6 V、アクセス時間は60 ns、低消費電力です。標準128 K × 16 SRAMピン配置に対応し、ページモード、ソフトウェアブロック書き込み保護、スリープモードをサポート。44ピンTSOP IIパッケージで、頻繁かつ高速な書き込みや高信頼性が求められる産業用途に最適です。

特長

  • 2MビットF-RAM、128K×16構成
  • 256K×8に設定可能
  • 100兆回の読書/書込耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書込、SRAM互換
  • 60nsアクセス、90nsサイクル
  • ページモード30nsサイクル
  • ソフトウェア書込保護
  • 動作電流7mA、待機120μA
  • スリープ電流3μA
  • VDD 2.0 V～3.6 V
  • 16ビットバス、標準ピン配置

利点

  • バッテリ不要の信頼性不揮発メモリ
  • SRAM置換で設計容易
  • 書込回数ほぼ無制限
  • 電源断でも長期データ保持
  • 高速書込で待ち時間なし
  • 低消費電力で電池長寿命
  • ページモードでスループット向上
  • 柔軟な構成で多用途対応
  • 書込保護でデータ安全
  • スリープで待機電流最小化
  • 幅広いVDDで多様な機器対応
  • 標準ピンで基板設計容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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