FC560R12D3H7F_B78
新規
Active and preferred
RoHS対応

FC560R12D3H7F_B78

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1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT module
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FC560R12D3H7F_B78
FC560R12D3H7F_B78
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製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    280 A
  • IC (最大)
    280 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.22 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • コンフィギュレーション
    Booster
  • パッケージ
    EasyPACK™ HD3
  • 寸法 (length)
    112.2 mm
  • 寸法 (width)
    65.2 mm
  • 技術
    IGBT7 - H7
  • 特長
    High current pin
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V

推奨
OPN
FC560R12D3H7FB78BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASYHD
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 8
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASYHD
パッケージ名 -
梱包サイズ 8
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EasyPACK™ HD3 1200 V, 560 A in 3-level boost IGBT module with 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, SiC diode, 1600 V emitter controlled 8 rectifier diode with 2 MPPT per module and Integrated NTC.

特長

  • Easy family with baseplate for high power density and high voltage application
  • High performance substrate
  • Flexible pin grid with high current solder pin
  • CTI 600 materials with high RTI
  • High performance gel
  • Latest chip technologies H7
  • Emitter controlled 8 rectifier diode, SiC Diode

利点

  • Tvj 175 degree continuous
  • Enable long-term thermal and mechanical stability
  • Enable high power rating, high power density
  • Support DC system up to 2000 V
  • Low stray inductance design with high system efficiency
  • easy to design

アプリケーション

太陽光発電
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ