CY7C2663KV18-450BZI
Active and preferred

CY7C2663KV18-450BZI

パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C2663KV18-450BZI
CY7C2663KV18-450BZI
個.

製品仕様情報

  • Density
    144 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-II+, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 18
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+, ODT
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 周波数
    450 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Mb x 18
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2.5
推奨
OPN
CY7C2663KV18-450BZI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C2663KV18-450BZIは144-MbitのQDR II+同期パイプラインSRAMで、8M×18構成、独立した読出し/書込みポートにより同時トランザクションが可能です。2.5サイクル読出しレイテンシ、4ワードバースト、DDR I/O（1100 MHz転送）を備え、最大クロック450 MHz。VDD 1.7～1.9 V、VDDQ 1.4 V～VDD、ODTとエコークロック(CQ/CQ)を内蔵し、165ボールFBGA、産業温度-40～85°C。

特長

  • QDR II+ SRAM、4ワードバースト
  • 550 MHz、DDR最大1100 MHz
  • 読み/書きデータ端子分離
  • 同時トランザクション対応
  • 2.5サイクル読出し(DOFF=1)
  • 1サイクル読出し(DOFF=0)
  • D/BWS/KにODT内蔵
  • CQ/CQエコークロック
  • QVLDで出力データ有効表示
  • 安定クロック20 µsでPLLロック
  • PLLは120 MHzまで動作
  • VDD 1.7–1.9 V; VDDQ 1.4–VDD

利点

  • バーストでアドレス頻度低減
  • DDR1100 MHzで高速転送
  • バス切替不要で低レイテンシ
  • 読み書き同時でスループット向上
  • 2.5サイクルで読出し一定
  • 1サイクルでアクセス短縮
  • ODTで外付け終端を削減
  • CQ/CQで高速タイミング容易
  • QVLDでデータ取り込み簡素化
  • PLLでデータ配置を安定化
  • 120 MHzでもPLL利用可能
  • 1.4 V/1.5 V I/Oで柔軟

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ