CY7C25702KV18-550BZXI
Active and preferred
RoHS対応

CY7C25702KV18-550BZXI

データシート
パッケージ

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CY7C25702KV18-550BZXI
CY7C25702KV18-550BZXI
データシート


製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    DDR-II+ CIO, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    DDR-II+ CIO, ODT
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 周波数
    550 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2.5

推奨
OPN
CY7C25702KV18-550BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 680
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 680
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C25702KV18-550BZXIは72-Mbit DDR II+同期パイプラインSRAM（2M × 36）で、2ワードバーストアーキテクチャです。最大550 MHzクロック、1100 MHz DDRデータ転送、2.5サイクルのリードレイテンシ（DOFF=HIGH）に対応。K/Kの2入力クロック、CQ/CQエコークロック、QVLD、IEEE 1149.1 JTAGにより高速キャプチャとテストを支援。電源はVDD 1.7 V～1.9 V、VDDQ 1.4 V～VDDで、ODT内蔵です。

特長

  • 72-Mbit DDR II+ SRAM
  • 2ワード・バースト構造
  • 550 MHz, DDR 1100 MHz転送
  • DOFF=Hで2.5サイクル読出し
  • DDR Iモード:1サイクル読出し
  • 2入力クロックK/K
  • エコークロックCQ/CQ
  • QVLDデータ有効インジケータ
  • D/BWS/KKにODT内蔵
  • PLL:120 MHz〜fMAX,20 us
  • BWS[x:0]でバイト書込み
  • ZQ: RQ 175–350Ω,±15%

利点

  • DDR 1100 MHzで帯域を向上
  • 2ワードでアドレス切替低減
  • 2.5サイクルでパイプ適合
  • DDR Iで既存設計に対応
  • K/KでDDRマージン改善
  • CQ/CQでデータ取り込み容易
  • QVLDでストローブ調整削減
  • ODTで外付け抵抗と面積削減
  • ZQ整合でSIを改善
  • PLLで読み出し位置を安定化
  • バイト書込みでRMW回避
  • パワーダウンで待機電流低減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ