CY7C1645KV18-400BZXI

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製品仕様情報

Density

144 MBit
ECC

N
On-Die Termination (オンダイ終端)

N
アーキテクチャ

QDR-II+
インターフェース

Parallel
データバス幅

x 36
バンクスイッチング

N
バースト長 (Words)

4
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

QDR-II+
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

1.7 V～1.9 V
周波数

400 MHz
組織 (X x Y)

4Mb x 36
認定

Industrial
読み込みレイテンシ (サイクル)

2

	推奨
OPN	CY7C1645KV18-400BZXI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	210
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	210
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY7C1645KV18-400BZXIは144-MbitのQDR II+同期パイプラインSRAMで、4 M × 36構成の独立したリード/ライトポートによりデータバスのターンアラウンドを不要にします。4ワードバースト、2サイクル読出しレイテンシ（DOFFで1サイクルのQDR Iモード）、最大400 MHzクロックのDDR I/O（800 MT/s）、エコークロックとQVLD、HSTL I/O、オンチップPLL（120 MHz～最大周波数）とJTAG 1149.1を備えます。

特長

144-Mbit QDR II+ SRAM
読出し/書込み独立ポート
DDR I/Oで最大900 MHz
最大450 MHzクロック
4ワードバーストアクセス
読出し2サイクル遅延
QDR I: 1サイクル遅延
入力クロックKとKの2系統
エコークロックCQ/CQ
QVLD有効データ出力
PLLは20 µsでロック
ZQで出力インピ調整

利点

バス切替の待ち時間を削減
高メモリ帯域を実現
アドレス線の周波数を低減
エコーCLKでタイミング簡略化
QVLDでデータ取り込み容易
読書き独立でパイプライン化
Read-after-writeの整合性確保
インピ整合でSIを改善
PVT変動の基板調整を低減
PLL自動ロックで立上げ短縮
待ちなしで深度拡張可能
JTAGでテストを簡素化

アプリケーション

デザインリソース

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CY7C1645KV18-400BZXI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

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開発者コミュニティ

CY7C1645KV18-400BZXI

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