CY7C1618KV18-333BZXC
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1618KV18-333BZXC

データシート
パッケージ

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CY7C1618KV18-333BZXC
CY7C1618KV18-333BZXC
データシート

製品仕様情報

  • Density
    144 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    DDR-II CIO
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 18
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    DDR-II CIO
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    0 °C～70 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 周波数
    333 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Mb x 18
  • 認定
    Commercial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1.5
推奨
OPN
CY7C1618KV18-333BZXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 525
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 525
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1618KV18-333BZXCは144 Mbit（8M × 18）の同期パイプラインSRAMで、DDR IIインターフェースを備えます。333 MHzクロックとDDR転送（データレート666 MHz）に対応し、A0を用いる2ワードバーストで順次アクセスします。K/KとC/Cの分離クロックに加え、データキャプチャ用のCQ/CQエコークロックを搭載。VDDは1.7 V～1.9 V、VDDQは1.4 V～VDD、165ボールPbフリーFBGAで提供。

特長

  • 144-Mbit DDR II同期SRAM
  • 333 MHz動作,666 MHz転送
  • 2ワードバースト(1-bit)
  • DOFF高で1.5サイクル遅延
  • DOFF低で1サイクル遅延
  • DDR入力クロックK/K
  • 出力クロックC/Cまたは単一
  • エコークロックCQ/CQ搭載
  • ZQで出力インピーダンス調整
  • RQ 175–350 Ωで±15%
  • PLL 120 MHz～fMAX動作
  • JTAG IEEE 1149.1対応

利点

  • 高速アクセスの高帯域を実現
  • 低fCLKでも高スループット
  • アドレス切替低減でEMI抑制
  • 遅延選択で組込み容易
  • K/KでDDRタイミング簡素化
  • C/Cでスキュー余裕を改善
  • CQ/CQで高速キャプチャ容易
  • ZQ調整で信号品質を向上
  • 整合で反射を低減
  • PLLでデータ配置タイミング改善
  • JTAGで基板試験/デバッグ短縮
  • 深度拡張で待ち挿入不要

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ