CY7C1514KV18-300BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1514KV18-300BZXI

パッケージ

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CY7C1514KV18-300BZXI
CY7C1514KV18-300BZXI

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    QDR-II
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 周波数
    300 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1.5
推奨
OPN
CY7C1514KV18-300BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 1360
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 1360
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1514KV18-300BZXIは1.8 V動作のQDR II同期パイプラインSRAMで、2M × 36（72 Mbit）構成です。独立したリード/ライトポートを備え、両ポートDDRインターフェースと2ワードバーストによりバスのターンアラウンドを不要にし、同時トランザクションを実現します。300 MHz動作に対応し、シングルクロックモードとエコークロック（CQ/CQ）、DOFF Highで1.5サイクル遅延（DOFF Lowで1サイクルのQDR Iモード）。

特長

  • 72-Mbit QDR II SRAMアーキ
  • 独立した読出/書込ポート
  • 読出し/書込み同時動作
  • 全アクセス2ワードバースト
  • DDR I/O：350 MHz/700 MHz
  • DOFF高：1.5サイクル遅延
  • DOFF低：1サイクル読出遅延
  • 入力K/K、出力C/Cクロック
  • CQ/CQエコークロック搭載
  • コアVDD 1.7-1.9 V
  • VDDQ 1.4 V～VDD
  • IEEE 1149.1 JTAG対応

利点

  • 高速ネット向け高帯域
  • バス切替待ちが不要
  • R/W同時でスループット向上
  • 2ワードでコマンド削減
  • 700 MHz DDRで転送高速化
  • 低レイテンシで厳しいタイミング
  • DOFFで遅延とパイプ選択
  • 分離クロックでタイミング容易
  • エコーで基板の取り込み容易
  • 1.8 Vコアで省電力化
  • HSTLで高速リンクに適合
  • JTAGで試験/デバッグ短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ