CY7C1069G30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1069G30-10ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1069G30-10ZSXI
CY7C1069G30-10ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1069G30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1069G30-10ZSXIは16 Mbit（2M×8）の非同期CMOS SRAMで、単ビット誤り訂正用ECCを内蔵します。動作電圧2.2 V～3.6 V、-40～85°Cで、アクセス時間10 ns（tAA）に対応。低消費電力はICC 90 mA typ（100 MHz）とISB2 20 mA typスタンバイ。CE1/CE2とOE/WE制御で接続が容易。Pbフリー54ピンTSOP IIでERR出力なし。

特長

  • 2Mワード×8-bit SRAM
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • アドレスtAA最小10 ns
  • 読出しtRC最小10 ns
  • tDOE最小5 ns
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • 100 MHzでICC typ 90 mA
  • パワーダウンISB2 typ 20 mA
  • デュアルチップイネーブル
  • 非選択時は出力ハイZ
  • TTL互換入出力
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

利点

  • SRAMの1ビット軟エラー訂正
  • ERRでエラー監視を簡素化
  • 10 nsアクセスで高速CPU対応
  • 5 ns OEで高速バス読出し
  • 10 ns tRCでスループット向上
  • 1.0 V保持でバックアップ省電力
  • 100 MHzで動作電流を低減
  • パワーダウンで待機損失低減
  • デュアルCEでデコード柔軟
  • ハイZでバス共有が容易
  • TTLレベルで接続部品削減
  • 高ESDで取扱い信頼性向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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