CY7C1061GN30-10ZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1061GN30-10ZXI

データシート
パッケージ

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CY7C1061GN30-10ZXI
CY7C1061GN30-10ZXI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧
    2.2 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1061GN30-10ZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 192
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1061GN30-10ZXIは16 Mbit（1M×16）の非同期CMOS SRAMで、アクセス時間10 ns。電源2.2 V～3.6 V、動作温度−40°C～+85°C（産業用）で、非選択時は自動パワーダウンに対応。A0～A19の20本アドレス、BLE/BHEによるバイト書き込み対応16ビットI/O、TTL互換レベル、1.0 Vデータ保持、Pbフリー48ピンTSOP I（ZX）でバス拡張メモリに適します。

特長

  • 1,048,576×16 SRAMアレイ
  • tAAアクセス10 ns/15 ns
  • 動作電圧VCC 2.2 V～3.6 V
  • データ保持VDR最小1.0 V
  • BLE/BHEでバイト書込み
  • 2つのチップイネーブルCE1/CE2
  • 非選択時に自動パワーダウン
  • OEで出力を高インピーダンス化
  • 100 MHzでICC typ 90 mA
  • CMOS待機ISB2 typ 20 mA
  • IIX/IOZリーク±1 µA
  • ESD >2001 V(MIL-STD-883)

利点

  • 16ビットでスループット向上
  • 10 nsで高速リードに対応
  • 2.2–3.6 Vで電源設計が容易
  • 1.0 V保持で状態を維持
  • バイト書込みで無駄な更新削減
  • 2系統CEで拡張が容易
  • 自動パワーダウンで待機低減
  • 高Zでバス共有が簡単
  • 低リークで待機電力を抑制
  • 高ESDで信頼性を向上
  • CMOS SRAMで接続が簡単
  • 明確なタイミングで設計低リスク

アプリケーション

バッテリー蓄電 (BESS)
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ