CY7C1051H30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1051H30-10ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1051H30-10ZSXI
CY7C1051H30-10ZSXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1051H30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1051H30-10ZSXIは8-Mbit（512K×16）の高速非同期CMOS SRAMで、単一ビット誤り訂正ECCを内蔵（自動ライトバック非対応）。2.2 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、アドレスアクセス時間は10 ns。BLE/BHEで上位/下位バイト書込み、CE/OE/WEで読書きとHigh-Z無効を制御。100 MHz時のICCは最大110 mA、ISB2は最大30 mA。Pb-free 44ピンTSOP II。

特長

  • 8 Mbit SRAM(512K×16)
  • ECCで1ビット訂正
  • アドレスアクセスtAA=10 ns
  • VCC電源2.2 V～3.6 V
  • 16ビットI/O+BHE/BLE
  • 非同期CE/OE/WE制御
  • 非選択時出力はHi-Z
  • 100 MHzでICC典型90 mA
  • ISB2待機電流典型20 mA
  • データ保持VDR=1.0 V
  • リードサイクルtRC=10 ns
  • OEから有効tDOE=5 ns

利点

  • ECCでデータ破損を抑制
  • 10 nsでリード遅延を低減
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • バイト書込みで帯域を節約
  • 非同期でMCU接続が容易
  • Hi-Zでバス共有が簡単
  • 典型90 mAで動作電力低減
  • 低待機電流で省エネ
  • 1.0 V保持でバックアップ容易
  • OE 5 nsで高速ストローブ
  • 10 ns周期でスループット向上
  • 標準ピンで立上げを短縮
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ