CY7C1051H30-10ZSXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1051H30-10ZSXE

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CY7C1051H30-10ZSXE
CY7C1051H30-10ZSXE


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    10 ns

OPN
CY7C1051H30-10ZSXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7C1051H30-10ZSXEはAEC-Q100準拠の8-Mbit(512K×16)高速非同期CMOS SRAMで、ECCを内蔵します。2.2 V~3.6 V、-40°C~125°Cで動作し、アクセス時間10 ns、動作電流ICCは最大160 mAです。CE非選択時の自動パワーダウンでISB2は最大50 mA、1.0 Vデータ保持にも対応。TTL互換I/Oで、Pbフリー44ピンTSOP IIパッケージです。

特長

  • 8 Mbit(512K×16) SRAM
  • ECCエンコーダ/デコーダ内蔵
  • 読書きサイクル10 ns
  • OE→データ有効5 ns
  • VCC 2.2 V~3.6 V
  • 周囲温度-40°C~+125°C
  • CE自動パワーダウン
  • データ保持VDR=1.0 V
  • fMAX時ICC最大160 mA
  • 入出力リーク±5 µA
  • CIN/COUT最大10 pF
  • TTL互換の入出力レベル

利点

  • 8 Mbitでデータを多く保持
  • ECCでデータ完全性を向上
  • 10 nsでメモリ遅延を低減
  • OE 5 nsで高速リード
  • 2.2~3.6 V電源に適合
  • -40~+125°Cで過酷環境対応
  • CEパワーダウンで省電力
  • 1.0 V保持でデータ保護
  • 最大160 mAで電源設計容易
  • ±5 µAで待機損失を低減
  • 10 pFで高速バスに対応
  • TTLで接続設計を簡素化

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ