CY7C1041GN30-10BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1041GN30-10BVXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1041GN30-10BVXI
CY7C1041GN30-10BVXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1041GN30-10BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1041GN30-10BVXIは4 Mbit（256K×16）の高速非同期CMOS SRAMで、アクセス時間10 ns。2.2 V～3.6 Vで動作し、動作温度範囲は産業用の−40°C～+85°C。BLE/BHEによりバイト単位の読み書きに対応。CE自動パワーダウンで待機電流を低減（ISB2 6 mA typ、8 mA max）。f=100 MHzでICC 38 mA typ、45 mA max。48ボールVFBGA（6×8×1.0 mm）。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • tAAアクセス10 ns/15 ns
  • 18ビットアドレスA0-A17
  • 16ビットI/O I/O0-I/O15
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • CE/OEで読出し・Hi-Z
  • 1.0 Vまでデータ保持
  • VDR=1 Vデータ保持
  • tRC読出し周期10/15 ns
  • tDOE OE→データ4.5/8 ns
  • 待機電流ISB2 6 mA typ
  • 入出力リーク±1 µA

利点

  • 10 ns高速アクセスで低遅延
  • 16ビットでスループット向上
  • バイト書込みで転送量削減
  • Hi-Zでバス共有が容易
  • 1.0 V保持でデータ保護
  • 複数VCCで電源に適合
  • 低待機電流で省電力
  • 低リークで低消費電力化
  • CE/OE/WE制御が簡単
  • OE応答が速く読出し高速
  • 10/15 ns周期で設計容易
  • 安定レベルで接続が簡単

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ