CY7C1041GE30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1041GE30-10ZSXI

データシート
パッケージ

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CY7C1041GE30-10ZSXI
CY7C1041GE30-10ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1041GE30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1041GE30-10ZSXIは4-Mbit（256K×16）の高速非同期CMOS SRAMで、単ビット誤り訂正用のECCを内蔵し、訂正イベントをERR端子で通知します。電源2.2 V～3.6 V、動作温度-40°C～85°Cで、アクセス時間10 nsに対応。CE自動パワーダウン、動作電流最大45 mA（100 MHz）、BHE/BLEバイトイネーブル、44ピンTSOP IIでメモリバッファに適します。

特長

  • 4-Mbit SRAM(256K×16)
  • ECC内蔵で1bit訂正
  • ERRで訂正イベント通知
  • アドレスtAA 10/15 ns
  • 読出し周期tRC 10/15 ns
  • OE→データtDOE最大4.5 ns
  • BHE/BLEでバイトアクセス
  • CE自動パワーダウン対応
  • 1.0 Vまでデータ保持
  • 動作温度-40°C～+85°C
  • TTL互換入出力

利点

  • ECCでSRAMデータ信頼性向上
  • ERRで故障監視が容易
  • 10 nsで高速CPUバス対応
  • 高速tDOEで読出し遅延低減
  • バイト有効で電力と転送削減
  • CEパワーダウンで待機電流低減
  • 1.0 V保持でバックアップ容易
  • 広温度でシステム信頼性向上
  • TTL互換で接続を簡素化

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ