CY62177G30-55ZXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62177G30-55ZXIT

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CY62177G30-55ZXIT
CY62177G30-55ZXIT

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    32 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 16
  • 認定
    Industrial
OPN
CY62177G30-55ZXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62177G30-55ZXITは32 Mbit(2M×16または4M×8)の非同期MoBL SRAMで、単一ビット訂正用ECCを内蔵します。2.2 V~3.6 V、-40°C~85°Cで動作し、アクセス時間は55 nsです。自動パワーダウンによりスタンバイ電流は標準3 µA(最大19 µA)。CMOS/TTLレベルI/Oとバイトイネーブルで8/16ビットアクセスに対応。ZXITはPbフリー48ピンTSOP I、工業温度品、テープ&リールです。

特長

  • 16 Mbit SRAM、1M×16/2M×8
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • ERRでECCイベント通知(GE30)
  • 読出しサイクル55 ns(tRC)
  • OE→データ有効最大25 ns
  • VCC動作範囲2.2 V–3.6 V
  • スタンバイ典型3 µA/最大19 µA
  • 1.5 Vデータ保持
  • ICCDR典型3 µA/最大19 µA
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 自動パワーダウンISB1/2
  • 非選択時I/OはハイZ

利点

  • ECCでソフトエラー破損低減
  • ERR出力で状態監視が容易
  • 55 nsアクセスで高速読出し
  • 25 ns OEでバスタイミング簡素化
  • 2.2–3.6 Vで3.3 V系に適合
  • 超低スタンバイで待機電力低減
  • 1.5 V保持で電断時もデータ維持
  • 低ICCDRでバックアップ長持ち
  • バイト有効で書込みトラフィック削減
  • 自動パワーダウンで省エネ
  • ハイZ出力でバス共有が容易
  • 16/8ビット対応で再設計削減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }