CY62177EV18LL-70BAXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62177EV18LL-70BAXIT

データシート
パッケージ

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CY62177EV18LL-70BAXIT
CY62177EV18LL-70BAXIT
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    32 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    2.25 V
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    70 ns

推奨
OPN
CY62177EV18LL-70BAXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY62177EV18LL-70BAXIT is a 32-Mbit (2 M × 16 or 4 M × 8) CMOS SRAM in a Pb-free 48-ball FBGA (8 × 9.5 × 1.2 mm). It operates from 1.65 V to 2.25 V over -40°C to +85°C with a 70 ns speed grade. It supports byte write via BHE/BLE and provides low power with 4.5 mA typical ICC at 1 MHz, 3 µA typical (25 µA max) standby, and automatic CE power-down when deselected for portable memory.

特長

  • 32-Mbit SRAM, 2M×16 or 4M×8
  • 70 ns read/write cycle time
  • VCC 1.65 V to 2.25 V operation
  • ISB2 standby current 3 µA typ
  • ISB2 standby current 25 µA max
  • ICC 4.5 mA typ at 1 MHz
  • ICC 45 mA max at fMax
  • OE/CE tri-state outputs (High-Z)
  • Byte enables BLE/BHE per 8-bit
  • tDOE 35 ns OE to data valid

利点

  • Fits 16-bit or 8-bit bus designs
  • 70 ns access boosts throughput
  • Runs from low-voltage rails
  • µA standby extends battery life
  • Low max standby cuts sleep power
  • Low active current reduces heat
  • Supports higher-speed bus cycles
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • Byte writes cut write bandwidth
  • Fast OE read enables quick fetch

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ