CY62168EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62168EV30LL-45BVXIT

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CY62168EV30LL-45BVXIT
CY62168EV30LL-45BVXIT

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 8
  • 認定
    Industrial
OPN
CY62168EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62168EV30LL-45BVXITは携帯機器や電池駆動機器向けの16-Mbit(2M × 8)CMOS SRAMです。2.2 V~3.6 V、-40°C~85°Cで動作し、45 nsアクセスに対応します。低消費電力として1 MHzで7 mAの代表動作電流、1.5 µA(最大12 µA)の代表スタンバイ電流、非選択時の自動パワーダウンとI/Oハイインピーダンスを備えます。Pb-free 48-ball VFBGA(BV)で提供されます。

特長

  • 16 Mbit SRAM、2M×8
  • 45 ns読/書きサイクル
  • アドレス→データ45 ns
  • OE→データ有効22 ns
  • 単電源2.2 V~3.6 V
  • 動作電流7 mA@1 MHz typ
  • 待機1.5 µA typ/12 µA max
  • VCC 1.5 Vまで保持動作
  • 保持電流10 µA max
  • CE1/CE2とOE/WEで制御
  • 非選択/OE高で3ステート
  • 入出力容量10 pF max

利点

  • コード/バッファに2 MB格納
  • 45 nsでアクセス遅延低減
  • 45 ns tAAで高速CPUに対応
  • 22 ns OEでランダム読出し高速
  • 2.2~3.6 Vで3 V系に適合
  • 7 mA@1 MHzで消費電力低減
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 1.5 V保持で電圧降下でも安心
  • 10 µA保持でバックアップ簡素化
  • CE/OE/WEでバス制御を簡素化
  • 3ステートでバス共有が容易
  • 低容量でSIマージン確保

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ