CY62157EV18LL-55BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157EV18LL-55BVXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62157EV18LL-55BVXI
CY62157EV18LL-55BVXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62157EV18LL-55BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62157EV18LL-55BVXIは便携機器など電池駆動設計向け8 Mbit（512K×16）のCMOS SRAMです。1.65 V～2.25 Vで動作し、55 nsアクセスを保証。アクティブ電流は6 mA@1 MHz（最大7 mA）、スタンバイは2 µA（最大8 µA）で非選択時に自動パワーダウンします。BHE/BLEのバイトイネーブルで8ビットアクセスに対応。Pb-freeの48ボールVFBGA、-40°C～+85°C。

特長

  • 8 Mbit SRAM、512K×16構成
  • 55 ns読書込サイクル(tRC/tWC)
  • 単電源VCC 1.65–2.25 V
  • 1 MHz時アクティブ6 mA
  • 待機2 uA、最大8 uA
  • データ保持VCC=1.0 V
  • 保持電流 最大9 uA
  • OE制御の3ステート出力
  • デュアルチップイネーブルCE1/CE2
  • BHE/BLEでバイト書込

利点

  • 16ビット系に直結しやすい
  • 55 nsで高速アクセス対応
  • 1.8 V系電源で動作可能
  • SRAM動作時の消費電力低減
  • 待機電流低減で電池長持ち
  • バックアップ電源でデータ保持
  • 保持電流低く省エネ
  • 出力共有が容易でバス簡素化
  • CE1/CE2で拡張が簡単
  • バイト更新で書込み量削減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ